存儲器國產化有三大難關
2018-04-02 14:32:46
中國已有三家存儲企業正式向存儲器芯片制造發起挑戰，分別是武漢長江存儲的32層3DNAND閃存、福建晉華的32納米DRAM利基型產品，以及合肥長鑫(睿力)的19納米DRAM。三家企業都宣布在2018年年底前將實現試產，開通生產線。如果再算上紫光分別在南京和成都剛宣布再建兩個存儲器基地，總共有5處。對于中國上馬存儲器制造，可能會面臨三個主要難題：技術、成本與價格、專利。
從態勢分析，關于首個難關，突破技術難點，成功試產，對于中國存儲器廠商可能都不是問題，顯然2018年相比2017年的投資壓力會增大。
預計最困難的是第二個難關，產能爬坡，進入比拼產品成本與價格的階段。這兩者關聯在一起、相得益彰，當成本增大時，產能爬坡的速率一定會變慢，很難立刻擴充至5萬到10萬片。因為與對手相比，在通線時我們的產能只有5000至1萬片，對手已超過10萬片，且其成品率近90%，而我們的成品率只有70%~80%。由此可看出成本差異非常明顯，因此，這就要看我們的企業從資金方面能夠忍受多長時間的虧損。因此中國存儲器業最艱難的時刻應該在2019年或者之后。
第三個難關是專利糾紛，中國做DRAM怎么能不踩專利的“紅線”，并且無法預測到對手會如何出招，這是中國半導體業發展過程中必須付出的代價。所以各大廠商從現在開始就要準備專利方面的律師及材料，迎接戰斗。中國半導體業一定要重視知識產權保護，這是邁向全球化的必經之路。
國產存儲器想要實現真正逆襲，還是面臨許多各種各樣的挑戰，一個是技術差距，另一個是制作水平的薄弱。2018將成為中國存儲器發展的關鍵年，希望在強有力的政策支持下，加上國內廠商的不懈努力，中國存儲器能在不久的將來真正引領世界。
本文關鍵詞：
DRAM
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