NAND FLAS的扇區管理
2017-11-20 14:40:48
以鎂光MT29F4G08BxB Nand Flash為例，這款Flash(如上圖所示)以4個扇區(sector)組成1個頁(page)，64個頁(page)組成1個塊(block)，4096個塊(block)構成整個Flash存儲器;由于每個扇區的容量是512 字節(bytes)，整個Flash容量為4224M Bit(相當于528M字節)，去掉備用區域用于存放ECC數據校驗16M(虛線部分)，就是這個片子的容量512M字節。其他型號的Flash也是同樣由扇區組成頁、由頁組成塊、塊組成整個存儲設備，只是扇區、頁、塊的數量多少有區別而已。
在Flash的生產制造過程中，由于生產工藝的缺陷，很容易在Flash中產生不能使用的壞區域，如果在U盤中要使用這樣的Flash，就必須使用所謂的“量產工具”;U盤量產工具其實就是一種集壞區域掃描和Flash管理系統裝載于一身的工具。常規U盤主控的掃描是以塊為單位，掃描即往每一個塊里寫入數據，然后將讀出的數據與寫入的數據比較，如果數據有誤則把該塊標為“壞塊”。掃描完成后就是將Flash管理系統裝載到Flash里面，Flash管理系統就會利用掃描產生的壞塊表對整個Flash進行讀寫管理，這樣就完成了整個量產動作，U盤也就可以正常使用了。所以U盤顯示的容量與實際所用的Flash容量差異來源于不能存儲信息的壞塊和Flash管理系統的占用塊。壞塊越多，做出的U盤容量越低;而Flash管理系統占用的塊是沒有辦法避免，就像我們的電腦安裝操作系統要占用硬盤空間一樣。
當然這里還涉及到一個ECC糾錯能力的問題，假設對這個Flash進行掃描的定義的ECC糾錯能力為1bit，只有數據出現超過1bit錯誤的塊才會被標記為壞塊。這個時候需要區分塊糾錯和扇區糾錯的差別，假設任何一個塊里有任何一個扇區(512bytes)存在超出1bit的錯誤，常規主控在掃描的時候就會判斷整個塊為壞區域，這樣將損失整個塊128Kbytes的容量;但是當使用扇區糾錯的主控時，同樣1bit ECC糾錯，他會直接去判斷這個塊里哪些是超出1bit錯誤的扇區，從而將其剔除，損失的只是每個真正有錯誤扇區的512bytes容量，從而保留了其余沒有錯誤的扇區，這樣Flash的利用率可以得到極大的提高。
本文關鍵詞：
Flash
相關文章：
詳解單片機FLASH與RAM、ROM的關系
深圳市英尚微電子有限公司是一家專業的靜態隨機記憶體產品及方案提供商，十年來專業致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產品及方案。
英尚微電子中國區指定的授權代理：VTI、NETSOL、JSC濟州半導體(EMLSI)、Everspin 、
IPUS、IPSILOG、ipus、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半導體品牌的專業分銷商 如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。
?更多資訊關注SRAMSUN. m.gemer.cn 0755-66658299
