Everspin 推出4MB 并口MRAM芯片MR2A08AYS35
2018-05-30 14:26:41
磁性隨機存儲器(MRAM)和集成磁(Integrated Magnetic)產品的領導廠商
Everspin科技公MRAM產品中其中4MB 并口MRAM芯片,用于無電數據保持以及SRAM性能的應用，具有非揮發性、高性能以及高可靠性優勢。Everspin將持續快速擴展MRAM產品組合,以協助更多客戶實現產品差異化的目標。根據產品發展藍圖,我們將不斷提高MRAM產品的容量,并以極具成本效益的方式保持MRAM的獨有特性。
MR2A08AYS35是一款3.3V、并行I/O非揮發RAM,其超短的存取周期僅為35ns,并允許無限制的讀/寫循環。在每次寫入后,資料能持續保存超過20年。此外,與其他存儲器不同,MRAM還可免除因宇宙射線所產生的軟錯誤率SER(SoftError Rate)。MR2A08AYS35采用8 mm x 8 mm 48引腳球柵陣列 (BGA) 封裝（球中心距為0.75mm）。可以與較小的低功耗SRAM以及其他非易失性RAM兼容。用MRAM替代電池供電的SRAM解決方案，無需組裝電池，也了提高可靠性。
MR2A08AYS35典型的應用包括計算機存儲系統及服務器、工業自動化和機器人、電能管理、交通以及軍用/航空系統。
深圳市英尚微電子有限公司是一家專業的靜態隨機記憶體產品及方案提供商，十年來專業致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產品及方案。
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